| 发明名称 |
FERROELECTRIC MEMORY CELL AND ARRAY OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100243294(B1) |
申请公布日期 |
2000.02.01 |
| 申请号 |
KR19970023659 |
申请日期 |
1997.06.09 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
GU, BON-JAE |
| 分类号 |
H01L27/085;G11C11/22;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/105;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/085 |
主分类号 |
H01L27/085 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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