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<p>Die Vorrichtung zur Herstellung eines Siliciumcarbid (SiC)-Einkristalls (10) umfaßt einen Tiegel (20) mit einem Vorratsbereich (30) zur Aufnahme eines Vorrats (31) aus festem SiC und mit einem Kristallbereich (12) zur Aufnahme eines SiC-Keimkristalls (11). In dem Tiegel (20) ist ein Einsatz (51) aus Glaskohle angeordnet. Bei dem Verfahren wird durch eine Erhitzung des Vorrats (31) festes SiC sublimiert und SiC in der Gasphase erzeugt, das zu dem SiC-Keimkristall (11) transportiert wird und dort als SiC-Einkristall (10) aufwächst. Über den Einsatz (51) aus Glaskohle wird ein Wärmefluß (61) gesteuert.</p> |
