发明名称 Verfahren zur Herstellung einer strahlungsgeschützten Silizium-auf-Isolator Halbleiteranordnung
摘要
申请公布号 DE69422265(D1) 申请公布日期 2000.01.27
申请号 DE1994622265 申请日期 1994.10.14
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK 发明人 BRADY, FREDERICK T.;HADDAD, NADIM F.
分类号 H01L21/20;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/265 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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