| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构之制造方法,该制造方法至少包括下列步骤:提供一基底;在该基底上依序形成一罩幕层与一氧化物层;定义该氧化物层、该罩幕层与该基底,在该基底形成一开口;去除部分该罩幕层;去除该氧化物层;在该开口形成一填满该开口之绝缘材料层;以及去除该罩幕层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在提供一基底后,在该基底上依序形成一罩幕层与一氧化物层前,更包括在该基底上形成一垫氧化物层的步骤。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在该基底形成一开口后,与去除部分该罩幕层前,更包括在该开口上形成一衬氧化物层的步骤。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在该开口形成一填满该开口之绝缘材料层更包括对该基底形成一填满该开口的绝缘材料层;以及以该罩幕层为蚀刻终止层,以化学机械研磨法平坦化该绝缘材料层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在去除该罩幕层的步骤后,更包括去除部分该垫氧化物层的步骤。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该绝缘材料层包括以常压化学气相沉积法进行。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该罩幕层包括氮化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该绝缘材料层包括氧化物层。9.一种浅沟渠隔离结构之制造方法,该制造方法至少包括下列步骤:提供一基底;在该基底上依序形成一垫氧化物层、一罩幕层与一氧化物层;定义该罩幕层、该氧化物层、该垫氧化物层与该基底,在该基底形成一开口;去除部分该罩幕层;去除该氧化物层;在该开口形成一填满该开口之绝缘材料层;以及去除该罩幕层与部分该垫氧化物层。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,在该基底形成一开口后,与去除部分该罩幕层前,更包括在该开口上形成一衬氧化物层的步骤。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,在该开口形成一填满该开口之绝缘材料层更包括对该基底形成一填满该开口的绝缘材料层;以及以该罩幕层为蚀刻终止层,以化学机械研磨法平坦化该绝缘材料层。12.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该绝缘材料层包括以常压化学气相沉积法进行。13.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该绝缘材料层包括氧化物层。14.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该罩幕层包括氮化矽层。图式简单说明:第一图A至第一图C系显示一种习知技艺浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图。第二图A至第二图E系显示根据本发明较佳实施例浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图。 |
