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发明名称 TEST DEVICE FOR INSULATED-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND TESTING CIRCUIT AND TESTING METHOD USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100237278(B1) 申请公布日期 2000.01.15
申请号 KR19960035724 申请日期 1996.08.27
申请人 NEC CORPORATION 发明人 KASAI, NAOKKI
分类号 G01R31/26;H01L21/66;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/66 主分类号 G01R31/26
代理机构 代理人
主权项
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