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发明名称 Lokaloxidierung von Silizium mit Isolierungsverfahren durch maskierte Seitenflächen
摘要
申请公布号 DE69510866(T2) 申请公布日期 2000.01.13
申请号 DE1995610866T 申请日期 1995.05.24
申请人 AT & T CORP., NEW YORK 发明人 CHIU, TZU-YIN;LIU, TE-YIN MARK;ERCEG, FRANK MICHAEL;MOERSCHEL, KENNETH GORDON;PROZONIC, MICHAEL ALLEN;SUNG, JANMYE
分类号 H01L21/316;H01L21/32;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
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