DRAM MEMORY CAPACITOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
摘要
<p>Die Erfindung betrifft einen DRAM-Speicherkondensator mit einem Dielektrikum aus BaSrTiO3 (BST). Dieses Dielektrikum weist eine Dreischichtstruktur zur Bildung eines Potentialtopfes auf, in welchem Elektronen dauerhaft getrappt werden.</p>
