发明名称 METHOD FOR REGULATING THE MAGNETIZATION OF THE BIAS LAYER OF A MAGNETORESISTIVE SENSOR ELEMENT, SENSOR ELEMENT OR SENSOR ELEMENT SYSTEM PROCESSED ACCORDING TO SAID METHOD AND SENSOR ELEMENT AND SENSOR SUBSTRATE SUITABLE FOR THE IMPLEMENTATION OF SAID METHOD
摘要 Verfahren zum Einstellen der Magnetisierung mindestens einer Biasschicht eines magneto-resistiven Sensorelements, wobei die Biasschicht Teil eines AAF-Systems (artificial-antiferromagnetic-system) ist bestehend aus mindestens einer Biasschicht, mindestens einer Flussführungsschicht und mindestens einer zwischen diesen angeordneten, beide Schichten antiferromagnetisch koppelnden Kopplungsschicht, umfassend folgende Schritte: a) Erwärmen oder Abkühlen des Sensorelements über oder unter eine vorbestimmte Temperatur (Ts), b) Anlegen eines magnetischen Einstellfelds (Hein) während und/oder nach dem Erwärmen oder Abkühlen, c) Abschalten des Einstellfelds (Hein) nach einer vorbestimmten Zeit, d) Rückführen der Temperatur auf die Ausgangstemperatur.
申请公布号 WO0002006(A2) 申请公布日期 2000.01.13
申请号 WO1999DE02017 申请日期 1999.07.01
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;VAN DEN BERG, HUGO;MATTHEIS, ROLAND 发明人 VAN DEN BERG, HUGO;MATTHEIS, ROLAND
分类号 H01F13/00;G01B7/30;G01R33/09;H01L43/12;(IPC1-7):G01B7/00 主分类号 H01F13/00
代理机构 代理人
主权项
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