发明名称 |
METHOD FOR REGULATING THE MAGNETIZATION OF THE BIAS LAYER OF A MAGNETORESISTIVE SENSOR ELEMENT, SENSOR ELEMENT OR SENSOR ELEMENT SYSTEM PROCESSED ACCORDING TO SAID METHOD AND SENSOR ELEMENT AND SENSOR SUBSTRATE SUITABLE FOR THE IMPLEMENTATION OF SAID METHOD |
摘要 |
Verfahren zum Einstellen der Magnetisierung mindestens einer Biasschicht eines magneto-resistiven Sensorelements, wobei die Biasschicht Teil eines AAF-Systems (artificial-antiferromagnetic-system) ist bestehend aus mindestens einer Biasschicht, mindestens einer Flussführungsschicht und mindestens einer zwischen diesen angeordneten, beide Schichten antiferromagnetisch koppelnden Kopplungsschicht, umfassend folgende Schritte: a) Erwärmen oder Abkühlen des Sensorelements über oder unter eine vorbestimmte Temperatur (Ts), b) Anlegen eines magnetischen Einstellfelds (Hein) während und/oder nach dem Erwärmen oder Abkühlen, c) Abschalten des Einstellfelds (Hein) nach einer vorbestimmten Zeit, d) Rückführen der Temperatur auf die Ausgangstemperatur.
|
申请公布号 |
WO0002006(A2) |
申请公布日期 |
2000.01.13 |
申请号 |
WO1999DE02017 |
申请日期 |
1999.07.01 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;VAN DEN BERG, HUGO;MATTHEIS, ROLAND |
发明人 |
VAN DEN BERG, HUGO;MATTHEIS, ROLAND |
分类号 |
H01F13/00;G01B7/30;G01R33/09;H01L43/12;(IPC1-7):G01B7/00 |
主分类号 |
H01F13/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|