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经营范围
发明名称
一种非晶硅太阳能电池的制造方法
摘要
一种非晶硅太阳能电池的制造方法,采用丝印碳浆形成弱光型非晶硅太阳能电池结构的碳膜层背电极的制造工艺,可同时适用于大批量工业化生产内联式和外联式弱光型非晶硅太阳能电池。本发明所制造的弱光型非晶硅太阳能电池,具有电性能稳定性良好,电极牢固度、可焊性良好,外观质量良好,生产成本低的特点。
申请公布号
CN1241040A
申请公布日期
2000.01.12
申请号
CN98115382.8
申请日期
1998.07.04
申请人
周庆明
发明人
周庆明
分类号
H01L31/20
主分类号
H01L31/20
代理机构
代理人
主权项
1、一种非晶硅太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述弱光型非晶硅太阳能电池的制造工艺过程为:透明导电膜玻璃基片→丝印透明电极抗蚀保护膜→腐蚀透明导电膜→去除抗蚀保护膜→清洗→沉积非晶硅膜层→刻划非晶硅膜层→印制碳膜层背电极→印制保护背漆、字符→印制铜可焊电极→切片→测试;具体制造工艺步骤为:a.在一定尺寸规格的透明导电膜玻璃基片上,按一定数量集成排版的内联式或外联式非晶硅太阳能电池的透明电极图形排版设计,将耐酸抗蚀油墨丝印于该玻璃基片的透明导电膜面上形成集成透明电极图形并烘干固化;b.将经过步骤a制造的玻璃基片,送入腐蚀透明导电膜设备中,按透明导电膜腐蚀工艺将裸露的透明导电膜腐蚀干净;c.将经过步骤b制造的玻璃基片,送入去除耐酸油墨设备中按去除耐酸油墨工艺将耐酸油墨去除干净;d.将经过步骤c制造的玻璃基片,送入清洗机中,按清洗工艺清洗该玻璃基片;e.将已经步骤d清洗好的玻璃基片,装入基片玻璃夹具中,按非晶硅沉积工艺要求,预热后送入非晶硅沉积炉中沉积PIN型非晶硅薄膜;f.在已沉积非晶硅薄膜的玻璃基片上,用激光方法或机械方法,在透明电极与背电极连接区内,按刻划非晶硅薄膜的工艺要求,刻划非晶硅薄膜;g.在已刻划非晶硅薄膜的玻璃基片上,按与透明电极图形排版设计相对应的碳膜层背电极图形排版设计及丝印碳膜层背电极的工艺要求,印制集成碳膜层背电极;h.在经过步骤g制造的玻璃基片上,按与集成碳膜层背电极图形排版设计相对应的保护漆图形排版设计及丝印保护漆、字符工艺要求,印制电池保护漆、字符;i.在经过步骤h制造的玻璃基片上,按与保护漆、字符图形排版设计相对应的铜可焊电极图形排版设计及丝印铜浆可焊电极的工艺要求,印制电池铜可焊电极;j.将经过步骤i制造的玻璃基片,按该非晶硅太阳能电池的透明电极图形排版设计、尺寸规格及切片的工艺要求,将玻璃基片上的集成排列的该非晶硅太阳能电池切割为单体非晶硅太阳能电池,并将已切割好的成品非晶硅太阳能电池进行外观质量检查和分类;k.将已切割好的成品非晶硅太阳能电池按电性能测试的技术要求进行电性能测试。
地址
518112广东省深圳市布吉镇宝丽西路德福花园德昌苑3座3E
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