发明名称 | 高电介质电容器及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供了具有能够防止氢扩散的阻挡层的铁电电容器。该阻挡层在电介质膜和上电极的侧壁上和下电极上形成。侧壁间隔层在下电极构成图形的同时形成。采用掩模和构成图形的第二电极层和电介质层,在第一电极层上和构成图形的第二电极层和介质层上形成材料层。该材料层被各向异性地深腐蚀以在腐蚀材料层下面的第一电极层的同时,在构成图形的第二电极和电介质层的侧壁上形成侧壁间隔层。结果,形成了具有侧壁间隔层的高电介质电容器。 | ||
申请公布号 | CN1241030A | 申请公布日期 | 2000.01.12 |
申请号 | CN99109411.5 | 申请日期 | 1999.06.29 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李相锳 |
分类号 | H01L21/8239;H01L21/70 | 主分类号 | H01L21/8239 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;余朦 |
主权项 | 1.一种制造铁电存储器的方法,包括以下各步骤:在集成电路衬底上淀积第一电极层、电介质层、第二电极层和腐蚀掩模层;将所述腐蚀掩模层构成图形以形成腐蚀掩模图形;采用所述腐蚀掩模图形将上述第二电极层和电介质层构成图形;除去所述腐蚀掩模图形;在所述第一电极层、所述构成图形的第二电极层和电介质层上形成材料层;各向异性腐蚀所述材料层以在腐蚀所述材料层下的所述第一电极层的同时,在所述构成图形的第二电极和电介质层的侧壁上形成侧壁间隔层。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |