| 主权项 |
1.一种结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,包括下列步骤:提供一基底结构;于该基底结构上形成一第一导线;于该第一导线上形成一第一介电层,该第一介电层中具有一开口,且暴露出部份的该第一导线;于该开口中形成一插塞,且该插塞与该第一导线电性耦接;于该第一介电层上依序形成一绝缘层和一第二介电层;定义该第二介电层和该绝缘层以形成一沟渠,且该沟渠具有一侧壁;去除该沟渠之该侧壁底部所暴露出的部份该绝缘层,且形成一凹陷区;于该第二介电层上形成一导电层,至少填满该沟渠和该凹陷区;以及进行一平坦化步骤,直至暴露出该第二介电层,并且在该沟渠和该凹陷区中形成一第二导线,其中该第二导线与该插塞电性耦接。2.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该第一导线的材料包括铜、铝和铝铜合金其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该第一介电层包括氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该插塞包括钨金属插塞。5.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中形成该插塞的方法更包括于该开口中形成与该开口共形的一黏着/阻障层。6.如申请专利范围第5项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该黏着/阻障层包括钛/氮化钛和钽/氮化钽其中之一。7.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该绝缘层包括氮化矽层和硼磷矽玻璃层其中之一。8.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中形成该绝缘层的方法包括化学气相沈积法。9.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中形成该凹陷区的方法包括湿式蚀刻法。10.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该第二导线的材料包括铜、铝和铝铜合金其中之一。11.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该平坦化步骤包括化学机械研磨法。12.一种结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中提供一基底结构,该基底结构的上已形成一第一介电层,且该第一介电层中已形成一插塞,包括下列步骤:于该第一介电层上依序形成一绝缘层和一第二介电层;定义该第二介电层和该绝缘层以形成一沟渠,且该沟渠具有一侧壁;去除该沟渠之该侧壁底部所暴露出的部份该绝缘层,且形成一凹陷区;以及于该沟渠中和该凹陷区中形成一导线,且该导线与该插塞电性耦接。13.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该绝缘层包括氮化矽层和硼磷矽玻璃层其中之一。14.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中形成该绝缘层的方法包括化学气相沈积法。15.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中形成该凹陷区的方法包括湿式蚀刻法。16.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该导线的材料包括铜、铝和铝铜合金其中之一。17.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中形成该导线的方法包括:于该第二介电层上形成一导电层,至少填满该沟渠和该凹陷区;以及进行一平坦化步骤,直至暴露出该第二介电层。18.如申请专利范围第17项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该平坦步骤包括化学机械磨法。图式简单说明:第一图至第一图E系绘示传统式结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程之制造流程的剖面图;以及第二图A至第二图G系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程之制造流程的剖面示意图。 |
