| 主权项 |
1.一种薄膜电阻器的制作方法,包括下列步骤:提供一绝缘基板;形成一图案定义(patterned)导体层于该绝缘基板;形成一遮罩层于该绝缘基板与该导体层表面,使部份用以形成电阻层的绝缘基板表面,及可以与电阻层电性接触的导体层祼露;形成一薄膜电阻材料于该绝缘基板祼露的部份,并且与该祼露的导体层电性接触;以及除去该遮罩层,以形成一图案定义(patterned)薄膜电阻层。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该绝缘基板系为一玻璃绝缘基板和一陶瓷绝缘基板所组成的绝缘基板之一。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该绝缘基板为一氧化铝(alumina)陶瓷绝缘基板,且其氧化铝成份约为94%-99.6%。4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该导体层形成前更包含于该绝缘基板上形成一平坦层(leveling layer)以平坦化该绝缘基板。5.如申请专利范围第4项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该平坦层之沈积方式为热辅助蒸镀法、电子束辅助蒸镀法、化学气相沈积法、电浆辅助化学气相沈积法与物理气相沈积之溅镀法所组成的沈积方式之一。6.如申请专利范围第4项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该平坦层为一二氧化矽、氮化矽所组成的绝缘层。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该导体层系以一种非微影光蚀刻之印刷方式形成不连续的图案。8.如申请专利范围第7项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该非微影光蚀刻之印刷方式为网版印刷(screen print)和能量束感应印刷(energy beaminduced print)所组成的印刷方式之一。9.如申请专利范围第7项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该非微影光蚀刻之印刷方式系运用以一导体糊剂的网版印刷方式,该导体糊剂为银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯(palladium)、钯合金、镍、镍合金所组成的导体之一。10.如申请专利范围第1项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该遮罩层系以一种非微影光蚀刻之印刷方式形成。11.如申请专利范围第1项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该薄膜电阻材料系以一种薄膜沈积方式形成。12.如申请专利范围第11项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该薄膜沈积方式为热辅助蒸镀法、电子束辅助蒸镀法、化学气相沈积法、电浆辅助化学气相沈积法与物理气相沈积之溅镀法所组成之沈积方式之一。13.如申请专利范围第11项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该薄膜电阻材料层为氮化钽电阻材料、矽化钽电阻材料、钽铬合金电阻材料、镍铬合金电阻材料、矽化铬电阻材料与较前述电阻材料序数(order)高所组成的电阻材料之一。14.如申请专利范围第1项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中更包含在该绝缘基板形成刻痕的步骤,以在该绝缘基板上定义一相邻连续的基板晶片,藉由该基板晶片上形成有该图案定义导体层与薄膜电阻层,使该基板晶片形成一薄膜晶片电阻。15.如申请专利范围第14项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中形成该刻痕的步骤系于该导体层形成前完成。16.如申请专利范围第14项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中形成该刻痕的步骤系于该导体层形成后完成。17.如申请专利范围第14项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该相邻薄膜电阻晶片能以物理断裂方式,不需裁切便能由该绝缘基板分离为一分立(discrete)薄膜晶片电阻。18.如申请专利范围第1项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中除去该遮罩层后更包括下列步骤:利用一种非微影光蚀刻之多束(multi-beam)能量蚀刻方式修整(trim)该图案定义薄膜电阻层;以及利用一种非微影光蚀刻之能量束蚀刻方式精修(finetrim)该图案定义薄膜电阻层,以调整其电阻値。19.如申请专利范围第18项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该非微影光蚀刻之多束能量蚀刻方式所使用之能量束为雷射光束、聚焦离子束与聚焦电子束所组成的多束能量蚀刻方式之一。20.如申请专利范围第18项所述之薄膜电阻器的制作方法,其中该非微影光蚀刻之多束能量蚀刻方式系使用波长于532-1064nm,投射射束之能量密度为0.1-8.0瓦,射束直径为1.0-100m,射束数目为1-31之雷射光束。21.一种薄膜电阻器的制作方法,包括下列步骤:提供一表面形成有刻痕的绝缘基板;形成一平坦层于该绝缘基板;形成不连续的一图案定义导体层于该绝缘基板;形成一遮罩层于该绝缘基板与该导体层表面,并且使部份用以形成电阻层的绝缘基板表面,及可以与电阻层电性接触的导体层祼露;形成一薄膜电阻材料于该绝缘基板祼露的部份,并且与该祼露的导体层电性接触;除去该遮罩层,以形成一图案定义薄膜电阻层;以一非微影光蚀刻之多束能量蚀刻方式修整该图案定义薄膜电阻层;以及以一非微影光蚀刻之能量束蚀刻方式精修该图案定义薄膜电阻层。 |
