于MOS制程中在矽基板上之电容器结构的形成方法

摘要

揭示一种于ＭＯＳ制程中在矽基板上之电容器结构的形成方法，藉由沉积一绝缘层而后一第二多晶矽层于第一多晶矽层之上用以形成电容器结构，成形该第二多晶矽层及该绝缘层以形成该电容器结构的第一电容器极板和电介质，然后成形该第一多晶矽层及该闸极氧化物层以形成该电容器结构的第二电容器极板和ＭＯＳ电晶体的闸极区域，以及其后生成ＭＯＳ电晶体来简化该方法。

主权项

1.一种于MOS制程中在矽基板上之电容器结构的形成方法,其中隔离用场氧化物区域被形成于基板的表面之上,而用以形成闸极区域之闸极氧化物层与第一多晶矽层被沉积于场氧化物区域之上,其特征在于用以形成电容器结构之一绝缘层而后一第二多晶矽层被沉积于第一多晶矽层之上,该第二多晶矽层及该绝缘层被成形而形成该电容器结构的第一电容器极板和电介质,然后该第一多晶矽层及该闸极氧化物层被成形而形成该电容器结构的第二电容器极板和MOS电晶体的闸极区域,以及随之而后,MOS电晶体被生成。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于杂质被植入第一及第二多晶矽层以产生搀杂情形,并且只实施一次退火处理以激活在该第一及第二多晶矽层中之杂质。3.如申请专利范围第1项或第2项的方法,其特征在于该绝缘层系由矽氮氧化物所做的。图式简单说明:第一图至第五图显示于依据本发明之方法的不同阶段后在MOS元件之矽基板上的电容器结构。