| 主权项 |
1.一种化学机械研磨法,包括: 提供一基底; 形成一介电质,覆盖该基底,且该介电质中具有贯 穿的开口,曝露出部分的该基底; 形成一共形之阻障/粘着层,于该介电质层及该开 口之表面; 形成一金属层,该金属层填满该开口,且覆盖在该 介电层上方之该阻障/粘着层; 提供一研磨液,对该金属进行一主研磨步骤,且以 该阻障/粘着层为一研磨终点;以及 停止提供该研磨液,输入一去离子水,对该阻障/粘 着层进行一过研磨步骤,且以该介电层为一研磨终 点。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介 电层包括一氧化层。3.如申请专利范围第1项所述 之方法,其中该阻障层包括一钛/氮化钛层。4.如申 请专利范围第1项所述之方法,其中该金属层包括 一钨层。5.一种化学机械研磨法,包括: 提供一介电质层,其中包括一开口将其贯穿; 形成一共形之阻障/粘着层,于该介电质及该开口 之表面; 形成一金属层于该介电质层中,并填满该开口; 进行一主研磨步骤,直到曝露出该阻障,粘着层为 止;以及 进行一过研磨步骤,并加入一去离子水,减少该金 属层之氧化速度,直到曝露出该介电质层为止。6. 如申请专利范围第5项所述之方法,其中该介电层 包括一氧化层。7.如申请专利范围第5项所述之方 法,其中该阻障层包括一钛/氮化钛层。8.如申请专 利范围第5项所述之方法,其中该金属层包括一钨 层。9.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该主 研磨步骤包括提供一研磨液,以氧化该金属层之机 制。图式简单说明: 第一图绘示出利用传统方法所形成之金属插塞; 第二图A至第二图C绘示出利用本发明,形成一金属 插塞的较佳实施例; 第三图绘示出经过传统方法研磨过之金属插塞的 上视图; 第四图绘示出利用本发明之方法研磨过之金属插 塞的上视图;以及 第五图绘示出利用传统方法,及本发明之方法研磨 形成金属插塞时,氧化层被侵蚀程度比较。 |
