发明名称 Dynamic semiconductor memory and method for the initialisation of a dynamic semiconductor memory
摘要 Die Erfindung betrifft eine dynamische Halbleiter-Speichervorrichtung vom wahlweisen Zugriffstyp (DRAM/SDRAM) mit einer den Einschaltvorgang der Halbleiter-Speichervorrichtung und ihrer Schaltungsbestandteile steuernden Initialisierungsschaltung, welche nach einer nach dem Einschalten der Halbleiter-Speichervorrichtung erfolgten Stabilisierung der Versorgungsspannung ein Versorgungsspannungsstabilsignal (POWERON) liefert. Die Initialisierungsschaltung weist eine dem Versorgungssspannungsstabilsignal (POWERON) und weiteren, von außen an die Halbleiter-Speichervorrichtung angelegten Kommandosignalen zugeordnete Freigabeschaltung (9) auf, welche nach dem Erkennen einer vorbestimmten ordnungsgemäßen Initialisierungsabfolge der an die Halbleiter-Speichervorrichtung angelegten Kommandosignale ein Freigabesignal (CHIPREADY) liefert, welches die Entriegelung der zum ordnungsgemäßen Betrieb der Halbleiter-Speichervorrichtung vorgesehenen Steuerschaltung (13) bewirkt. <IMAGE>
申请公布号 EP0969475(A1) 申请公布日期 2000.01.05
申请号 EP19990113048 申请日期 1999.06.30
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 KRAUSE, GUNNAR
分类号 G11C7/10;G11C7/22;(IPC1-7):G11C7/00 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人
主权项
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