发明名称 |
Método para construir um cabeçote de impressão de jato de fluido, cabeçote de impressão para ejetar fluido e máscara de nìvel multidensidade. |
摘要 |
"MéTODO PARA CONSTRUIR UM CABEçOTE DE IMPRESSãO DE JATO DE FLUIDO, CABEçOTE DE IMPRESSãO PARA EJETAR FLUIDO E MáSCARA DE NìVEL MULTIDENSIDADE". Processo para criar e um aparelho empregando orifícios conformados em um substrato semi-condutor (20). Uma camada de material de reticulação lenta (34) é aplicada sobre o substrato semicondutor (20). Uma imagem de orifício (42) e uma imagem de depósito de fluido (43) são transferidas para a camada de material de reticulação lenta (34). Aquela porção da camada de material de reticulação lenta (34) onde a imagem de orifício (42) está localizada é então revelada junto com aquela porção da camada de material de reticulação lenta (34) onde a imagem de depósito de fluido (43) é colocada para definir uma abertura de orifício no substrato semicondutor (20).
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申请公布号 |
BR9900203(A) |
申请公布日期 |
2000.01.04 |
申请号 |
BR19990000203 |
申请日期 |
1999.01.08 |
申请人 |
HEWLETT-PACKARD COMPANY |
发明人 |
CHIEN-HAU CHEN;DONALD WENZEL;QIN LIU;NAOTO KAWAMURA;RICHARD W. SEAVER;CARL WU;COLBY VAN VOOREN;JEFFERY S. HESS;COLIN C. DAVIS |
分类号 |
B41J2/05;B41J2/135;B41J2/14;B41J2/16;(IPC1-7):B41F31/28 |
主分类号 |
B41J2/05 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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