| 主权项 |
1.一种多重内连线中未着陆型金属介层窗的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一基底,在该基底上已形成一金氧半元件;(b)在该基底表面依序形成一第一内介电层与一蚀刻终止层;(c)定义该第一内介电层与该蚀刻终止层之图案,形成一金属线沟渠;(d)沈积一第一金属层,并填满该金属线沟渠;(e)对该第一金属层进行化学机械研磨法,去除残留在该蚀刻终止层上多余之该第一金属层,形成一第一金属导线层;(f)在该蚀刻终止层与该第一金属导线层表面形成一第二内介电层;以及(g)定义该第二内介电层之图案,并以该蚀刻终止层为终点,形成一金属介层窗,并露出该第一金属导线层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该第一内介电层系为二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该蚀刻终止层系为氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该蚀刻终止层系为含矽量高之氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(d)中之该第一金属层为铝金属层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(f)中之该第一内介电层系为二氧化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤(g)之后更包括:(h)在该金属介层窗中形成一金属插塞;(i)在该第二内介电层与该金属插塞表面形成一第二金属层;以及(j)定义该第二金属层之图案,形成一第二金属导线层。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(h)中之该金属插塞系为钨插塞。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(i)中之该第二金属层系为铝金属层。图式简单说明:第一图A-第一图D是习知一种多重金属内连线中未着陆型介层窗的制造剖面流程图;第二图A-第二图B是依照习知多重金属内连线中未着陆型介层窗制造方法所产生介层窗过度蚀刻的剖面示意图;以及第三图A-第三图E是依照本发明一较佳实施例,一种多重金属内连线中未着陆型介层窗的制造剖面流程图。 |
