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<p>실리콘 기판에 얕은 분리 트렌치를 형성하는 방법에서, 패터닝된 STI 마스크를 실리콘 기판의 상부 표면 상에 직접 형성한다. STI 마스크는 기판의 선택된 상부 표면 영역을 노출시킨다. 그 후, 기판의 노출시킨 표면 영역을 에칭하여 이격된 얕은 트렌치를 기판에 한정시킨다. 그 후, STI 마스크를 제거하고 기판의 노출된 상부 표면 상부와 얕은 트렌치내에 실리콘 이산화물을 열 성장시킨다. 그 후, 화학기계적 연마를 이용하여 기판의 상부 표면으로부터 여분의 실리콘 이산화물을 제거함으로써, 평탄한 표면을 형성한다. 선택적인 방법에서는, 종래 리세스 LOCOS 공정을 행한 후, 바람직하게는, 기판의 적어도 일부분을 제거하는 CMP 단계를 행함으로써, "버즈 빅" 산화물 및 활성 영역의 주변부에 있는 기판의 응력 결함을 제거한다.</p> |
