发明名称 METHOD FOR CLEANING THE INSIDE OF A PIPE IN SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING MACHINE
摘要 <p>반도체 장치 제조장치의 배관내에 부착된 유기물을 높은 청정도로 제거할 수 있는 배관내 클리닝 방법을 제공하고자 하는 것이다. 배관 (1) 내에 고순도 Ar (3) 에 1 % 내지 5 % 의 O(4) 를 첨가하여 이루어지는 클리닝 가스를 공급하면서, 배관을 가열한다. 분자 크기가 큰 Ar 을 이용함으로써 배관내의 유기물 (2) 을 날려 배관 밖으로 클리닝 가스와 함께 배출할 수 있다. 고순도 Ar (3) 에 첨가된 1 % 내지 5 % 의 O에 의해, 가열되어 있는 배관 내에서 유기물이 연소반응을 일으켜 CO, CO, 또는 HO 가 되어 배출된다. 그 결과, 배관 내의 유기물 제거를 효율적으로 실시할 수 있다.</p>
申请公布号 KR19990088657(A) 申请公布日期 1999.12.27
申请号 KR19990019496 申请日期 1999.05.28
申请人 null, null 发明人 사사끼야스시
分类号 B08B9/027;B08B7/00;B08B9/00;B08B9/02;C23C16/44;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/304 主分类号 B08B9/027
代理机构 代理人
主权项
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