| 摘要 |
<p>구리 배선 (1) 은 반도체 기판 (3) 상에 집적된 고속 로직 회로에 바람직하며, 화학적 기계적 연마를 통해 패터닝되는데, 여기서 구리 배선에 손상을 주지 않고, 0.0001 내지 0.5 중량 퍼센트의 암모니아수, 환원전극액, 또는 수소용존 수용액을 사용하여 결과적인 반도체 구조의 주표면으로부터 연마 입자들을 브러싱하여 제거하며, 그 후에, 폴리카르복실산, 폴리카르복실산의 암모늄염, 및 폴리아미노카르복실산으로부터 선택된 세정제를 함유한 세정액을 사용하여 구리와 같은 금속 오염물들을, 구리 배선에 손상을 주지않고, 제거한다.</p> |
