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<p>반도체 기판을 제공하는 단계, 제 2 게이트 전극을 형성하는 단계, 제 2 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계, 제 2 측벽 절연막을 형성하는 단계, 제 1 게이트 전극을 형성하는 단계, 제 1 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계 및 제 1 측벽 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 반도체 기판은 제 1 및 제 2 반도체 소자 형성영역을 갖는다. 제 1 반도체 소자 형성영역이 마스크된 상태로, 제 2 반도체 소자 형성영역내에 제 2 반도체 소자의 제 2 게이트 전극이 형성된다. 제 1 반도체 소자 형성영역이 마스크된 상태로, 제 2 반도체 소자 형성영역내 제 2 반도체 소자의 제 2 소오스/드레인 영역이 형성된다. 제 1 반도체 소자 형성영역이 마스크된 상태로, 제 2 게이트 전극의 측면상에 제 2 측벽 절연막이 형성된다. 제 2 반도체 소자 형성영역이 마스크된 상태로, 제 1 반도체 소자 형성영역내에 제 1 반도체 소자의 제 1 게이트 전극이 형성된다. 제 2 반도체 소자 형성영역이 마스크된 상태로, 제 1 반도체 소자 형성영역내에 제 1 반도체 소자의 제 1 소오스/드레인 영역이 형성된다. 제 1 게이트 전극의 측면상에 제 1 측벽 절연막이 형성된다.</p> |
