发明名称 THIN-FLIM CAPACITOR AND METHOD OF PRODUCING SAME
摘要 <p>우수한 절연 특성을 나타내는 유전체로서 페로브스카이트-구조의 다결정 산화 박막을 갖는 박막 캐패시터가 제공된다. 상기 캐패시터는 페로브스카이트-구조의 다결정 산화 박막, 및 박막의 각 측면에 위치한 상부 및 하부 전극을 구비한다. 페로브스카이트-구조의 다결정 산화 박막은 ABO의 일반식을 갖는데, 여기서 A는 2가 금속 원소, 납, 및 란탄(lanthanum)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이며, B는 4가 금속 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이다. (A/B)의 비는 1.1에서 2.0까지의 범위이다. 산화 박막은 과립형 결정 그레인을 갖는다. 페로브스카이트-구조의 다결정 산화 박막은 페로브스카이트-구조의 비정질 산화 박막을 형성하고, 페로브스카이트-구조의 비정질 산화 박막을 열처리하여 결정화함으로써 형성된다.</p>
申请公布号 KR19990088527(A) 申请公布日期 1999.12.27
申请号 KR19990018773 申请日期 1999.05.25
申请人 null, null 发明人 소네슈지
分类号 H01L27/04;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/822;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/92 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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