| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MEMORISATION FERROELECTRIQUE ET DISPOSITIF OBTENU PAR CE PROCEDE |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne un dispositif de mémorisation ferroélectrique comportant un condensateur ferroélectrique dont la pellicule ferroélectrique (114) comporte un constituant à base de titane en plus grande quantité qu'un constituant à base de zirconate, ce qui améliore la caractéristique ferroélectrique. Le procédé de fabrication du condensateur comprend une opération de traitement thermique en atmosphère d'oxygène après formation d'une ouverture de contact (125) dans une couche isolante (124) qui couvre le condensateur ferroélectrique déjà formé. Ce traitement thermique peut minimiser les effets latéraux non souhaitables de l'électrode de platine (112), qui oxyde la pellicule ferroélectrique.</P>
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| 申请公布号 |
FR2780199(A1) |
申请公布日期 |
1999.12.24 |
| 申请号 |
FR19990007317 |
申请日期 |
1999.06.10 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
JUNG DONG JIN;KIM KI NAM |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/02;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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