| 发明名称 | 选择性金属层的形成方法及其应用 | ||
| 摘要 | 提供了一种选择性金属层的形成方法，及用其形成电容器的方法和用其填充接触孔洞的方法。通过通入一种对半导体衬底上的绝缘膜和导电层选择性沉积的牺牲金属源气体可在导电层上选择沉积牺牲金属层。通过通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层中金属原子的卤素亲和力更小的金属卤化物气体，可形成牺牲金属原子和卤化物，并使牺牲金属层被沉积金属层如钛(Ti)或铂(pt)所取代。 | ||
| 申请公布号 | CN1239320A | 申请公布日期 | 1999.12.22 |
| 申请号 | CN98121394.4 | 申请日期 | 1998.10.21 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜尚范;蔡允淑;李相忍;林炫锡;尹美英 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/768;H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1. 一种选择性金属层形成方法，包括下列步骤：向室中引入在其上形成绝缘膜和导电层的半导体衬底，并向室中通入清洗气体；通过向室中通入对于绝缘膜和导电层选择性地沉积的牺牲金属源气体，仅在导电层上形成牺牲金属层；以及通过向室中通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层金属原子的卤素亲和力小的金属卤化物气体，用沉积金属层取代牺牲金属层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||