发明名称 | 同步半导体存储器 | ||
摘要 | 一种同步半导体存储器,包括第一初始电路、第二初始电路和第三初始电路。第一初始电路接收外部时钟信号CLK并与参考电压比较,比较结果被放大并输出为信号Φ1;第二初始电路接收时钟允许控制信号CKE,并与参考电压比较,比较结果被放大并输出为信号Φ2;第三初始电路接收外部时钟信号CLK,将CLK与参考电压比较,放大并输出比较结果Φ8。另外还包括第一控制电路,它接收Φ1信号并产生随CLK同步变化的具有恒定脉宽的周期信号Φ3。 | ||
申请公布号 | CN1239306A | 申请公布日期 | 1999.12.22 |
申请号 | CN99107997.3 | 申请日期 | 1999.06.10 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 松原靖 |
分类号 | G11C11/40;G11C11/407 | 主分类号 | G11C11/40 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;余朦 |
主权项 | 1.同步半导体存储器,可接收外部时钟信号和时钟允许信号并产生与外部时钟信号同步操作的内部时钟信号,该同步半导体存储器包括:第一初始电路,可接收外部时钟信号,将外部时钟信号与参考电压比较,放大并输出比较结果;第二初始电路,可接收时钟允许信号,将时钟允许信号与参考电压比较,放大并输出比较结果;第三初始电路,由时钟允许信号控制的控制信号启动,该第三初始电路接收外部时钟信号,将外部时钟信号与参考电压比较,放大并输出比较结果;和第一控制电路,产生随第一初始电路的输出同步变化的周期信号,并产生与第三初始电路的输出相应的内部时钟信号。 | ||
地址 | 日本东京 |