半导体基体及其制造方法

摘要

为了藉着防止在分离结合的基体之前破坏多孔层及藉着安全地及容易地实施结合的基体的分离来以低成本固定地制造没有缺陷的均匀ＳＯＩ基体，一种半导体基体的制造方法包含在具有形成于其表面上的多孔层（１１，１２）的第一基体（１０）上形成非多孔状的半导体层（１３），在其表面上形成绝缘层（１５），将绝缘层（１５）结合于第二基体（１４），及分离多孔层（１１，１２），因而将绝缘层（１５）及非多孔状的半导体层（１３）转移至第二基体（１４）的表面上，而在此半导体基体的制造方法中，第一多孔层（１１）形成为具有低孔隙度，而第二多孔层形成为薄至易碎以容易地分离第一基体与第二基体的程度。

主权项

1.一种半导体基体的制造方法,包含以下步骤:预备具有多孔区域及配置在多孔区域上的非多孔状半导体层的第一基体;将非多孔状半导体层结合于第二基体;于多孔区域分离结合的第一与第二基体;及去除存留在分离的第二基体上的多孔区域;其中多孔区域是形成为使得多孔区域包含相邻于非多孔状半导体层的第一多孔层,及与第一多孔层相比具有较高的孔隙度及较小的厚度的第二多孔层,以及使得第二多孔层的厚度不大于第一多孔层的厚度的80%,且第二多孔层的孔隙度为从30%到60%。2.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中分离于第二多孔层发生。3.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中第一多孔层的孔隙度小于30%。4.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中第二多孔层的厚度不大于第一多孔层的厚度的50%。5.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中第二多孔层的厚度不大于3微米(m)。6.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,另外包含在藉着去除存留在分离的第一基体上的多孔区域而获得的基体上重新形成多孔区域,再次使用所得的基体成为第一基体,以及将所得的基体结合于另一新的第二基体。7.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,另外包含再次使用藉着去除存留在分离的第一基体上的多孔区域而获得的基体成为第二基体,以及将所得的基体结合于具有多孔区域及设置在多孔区域上的非多孔状半导体层的另一新的第一基体。8.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中绝缘层形成在第一基体的非多孔状半导体层的表面上,然后结合于第二基体。9.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中绝缘层形成在第二基体的表面上,然后结合于第一基体。10.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,另外包含去除存留在分离的第二基体的非孔状半导体层上的多孔区域的步骤。11.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中第一基体为具有等于或小于6英寸的直径的半导体晶圆,且第二多孔层具有1毫微米(nm)到1微米(m)的厚度。12.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中第一基体为具有等于或大于8英寸的直径的半导体晶圆,且第二多孔层具有1微米(m)到3微米(m)的厚度。13.一种半导体基体,由如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法制造。14.一种用于半导体基体的复合构件,包含第一基体,设置在第一基体上的多孔区域,设置在多孔区域上的非多孔状半导体层,及设置在非多孔状半导体层上的第二基体,其中多孔区域包含相邻于非多孔状半导体层的第一多孔层,及与第一多孔层相比具有较高的孔隙度及较小的厚度的第二多孔层,并且第二多孔层的厚度不大于第一多孔层的厚度的80%,且第二多孔层的孔隙度为从30%到60%。15.如申请专利范围第14项的用于半导体基体的复合构件,其中第一多孔层的孔隙度小于30%。16.如申请专利范围第14项的用于半导体基体的复合构件,其中第二多孔层的厚度不大于第一多孔层的厚度。17.如申请专利范围第14项的用于半导体基体的复合构件,其中第二多孔层的厚度不大于3微米(m)。18.如申请专利范围第14项的用于半导体基体的复合构件,其中第一基体为具有等于或小于6英寸的直径的半导体晶圆,且第二多孔层具有1毫微米(nm)到1微米(m)的厚度。19.如申请专利范围第14项的用于半导体基体的复合构件,其中第一基体为具有等于或大于8英寸的直径的半导体晶圆,且第二多孔层具有1微米(m)到3微米(m)的厚度。20.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中在随时间的逝去改变阳极化电流之下利用阳极化,以形成孔隙度不同的多个层。21.如申请专利范围第20项的半导体基体的制造方法,其中第一多孔层具有至少3微米(m)的厚度。22.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中当藉着阳极化形成孔隙度不同的多个多孔层时,改变阳极化液体的成分来实施阳极化,因而改变孔隙度。23.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中当改变阳极化液体的成分时,在阳极化期间将至少一种阳极化液体的组份个别加入至阳极化液体中,以改变孔隙度。24.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中当藉着阳极化形成孔际度不同的多个多孔层时,阳极化液体成分及阳极化电流均改变以实施阳极化,因而改变孔隙度。25.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中阳极化电流在阳极化的过程中停止流动,从阳极化液体取出基体,改变阳极化液体的成分或改变阳极化电流的设定,再次将基体浸入阳极化液体中,然后容许阳极化电流流动,因而再开始阳极化。26.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中相邻于非多孔状半导体层且具有与其他区域相比较小的孔隙度的多孔层的厚度具有不大于35%的平面中(in-plane)变动。27.如申请专利范围第1项的半导体基体的制造方法,其中第一多孔层具有等于或大于5微米(m)的厚度,而第二多孔层具有等于或小于3微米(m)的厚度。28.如申请专利范围第14项的用于半导体基体的复合构件,其中第一多孔层具有等于或大于5微米(m)的厚度,而第二多孔层具有等于或小于3微米(m)的厚度。图式简单说明:第一图A,第一图B,第一图C,及第一图D为显示用来制造本发明的半导体基体的基本制程的剖面图;第二图A,第二图B,第二图C,第二图D,及第二图E为显示用来制造本发明的半导体基体的实施例的剖面图;第三图A,第三图B,第三图C,第三图D,及第三图E为显示用来制造本发明的半导体基体的另一实施例的剖面图;第四图A,第四图B,第四图C,第四图D,及第四图E为显示用来制造本发明的半导体基体的另一实施例的剖面图;第五图显示本发明中所采用的阳极化的阳极化时间与阳极化电流之间的关系;第六图显示第一多孔层的厚度与用来形成第二多孔层的阳极化电流之间的关系;第七图显示第一多孔层的厚度与第二多孔层的孔隙度之间的关系。