MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR READING/WRITING DIGITAL INFORMATION TO SUCH A MEMORY

摘要

Digitale magnetische Speicherzelleneinrichtung für Lese- und/oder Schreiboperationen mit einer ersten und einer zweiten magnetischen Schicht, deren Magnetisierung zur Speicherung digitaler Informationen zueinander parallel oder antiparallel ausgerichtet ist, wobei wenigstens eine der magnetischen Schichten eine magnetische Anisotropie aufweist; einer Zwischenschicht zwischen erster und zweiter magnetischer Schicht sowie mindestens zwei sich kreuzenden Leiterbahnen zum Leiten von Lese- und Schreibströmen; Mittel zum Umschalten der Magnetisierung mindestens einer der magnetischen Schichten von einer parallelen in eine antiparallele Ausrichtung und umgekehrt; wobei die Umschaltmittel Einrichtungen zum Erzeugen von Strömen und/oder Strompulsen auf einer ersten und einer zweiten Leiterbahn der mindestens zwei sich kreuzenden Leiterbahnen umfassen. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen sich unter einem vorbestimmten Winkel beta kreuzen, so dass in der Speicherzelleneinrichtung im Kreuzungsbereich mit Strompulsen einer Pulsdauer < 10 ns ein vollständiges und sicheres Umschalten der Magnetisierung von einer parallelen in eine antiparallelle Ausrichtung und umgekehrt erreicht wird.