| 摘要 |
一种在底材上制造双重镶线结构的方法，于本发明被揭露。首先，形成第一介电层于底材上，接着形成第一氮化矽层于第一介电层上，再形成第二介电层于第一氮化矽层上，并形成第二氮化矽层于第二介电层上。选择性蚀刻第二氮化矽层以曝露部份第二介电层之表面，接着选择性蚀刻所曝露之部份第二介电层，直至抵达第一氮化矽层为止。选择性蚀刻第一氮化矽层与第二氮化矽层，以曝露部份第一介电层与部份第二介电层之表面。然后，选择性蚀刻所曝露之部份第一介电层与部份第二介电层，以形成一接触孔于底材上，同时形成一孔洞于第一氮化矽层之上。接着，形成一黏着层于接触孔与孔洞之侧壁与底部，以及第二氮化矽层之上，再形成一金属层于黏着层之上，回填至接触孔与孔洞之中。然后，使用化学机械研磨法，移除位于第二介电层上之金属层、黏着层以及第二氮化矽层。 |
