| 主权项 |
1.一种应用于化学机械研磨法之侦测板的制程方 法,包含步骤: 形成一场氧化区于一矽底层上; 定义第一区域,第二区域,及第三区域,并使该第二 区域介于该第一区域及该第三区域; 形成一具有复数层之复晶矽及金属层于该第一区 域与该第三区域。2.如申请专利范围第1项所述之 方法,其中上述之形成一具有复数层之复晶矽及金 属层的步骤包含: 形成第一层复晶矽于上述之第一区域及上述之第 三区域; 形成第一层接触于上述之第一区域及上述之第三 区域; 形成第二层复晶矽于上述之第一层接触之上; 形成第二层接触于上述之第二层复晶矽之上;及 形成第三层复晶矽于上述之第二层接触之上。3. 如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之形 成第一层复晶矽的步骤,包含步骤: 形成第一层复晶矽于上述之场氧化区; 定义上述之第一层复晶矽之图案;及 蚀刻上述之第一层复晶矽,以将上述之第一层复晶 矽从上述之第二区域移除。4.如申请专利范围第2 项所述之方法,其中上述之形成第一层接触的步骤 ,包含步骤: 定义上述之第一层接触之图案;及 蚀刻上述之第一层接触,以将上述之第一层接触及 场氧化层从上述之第二区域移除。5.如申请专利 范围第2项所述之方法,其中上述之形成第二层复 晶矽的步骤,包含步骤: 定义上述之第二层复晶矽之图案;及 蚀刻上述之第二层复晶矽,以将上述之第二层复晶 矽从上述之第二区域移除,并使矽底材被蚀刻至一 设定之深度。6.如申请专利范围第2项所述之方法, 其中上述之形成第二层接触的步骤,包含步骤: 定义上述之第二层接触之图案;及 蚀刻上述之第二层接触,并留下上述之第二层接触 于上述之第二区域。7.如申请专利范围第2项所述 之方法,其中上述之形成第三层复晶矽的步骤,包 含步骤: 定义上述之第三层复晶矽之图案;及 蚀刻上述之第三层复晶矽,以将上述之第三层复晶 矽从上述之第二区域移除。8.一种应用于化学机 械研磨法之侦测板的制程方法,包含步骤: 形成一场氧化区于一矽底层上; 定义第一区域,第二区域,及第三区域,并使该第二 区域介于该第一区域及该第三区域; 形成第一层复晶矽于该第一区域及该第三区域; 形成第一层接触于该第一区域及该第三区域; 形成第二层复晶矽于该第一层接触之上; 形成第二层接触于该第二层复晶矽之上;及 形成第三层复晶矽于该第二层接触之上。9.如申 请专利范围第8项所述之方法,其中上述之形成第 一层复晶矽的步骤,包含步骤: 形成第一层复晶矽于上述之场氧化区; 定义上述之第一层复晶矽之图案;及 蚀刻上述之第一层复晶矽,以将上述之第一层复晶 矽从上述之第二区域移除。10.如申请专利范围第8 项所述之方法,其中上述之形成第一层接触的步骤 ,包含步骤: 定义上述之第一层接触之图案;及 蚀刻上述之第一层接触,以将上述之第一层接触及 场氧化层从上述之第二区域移除。11.如申请专利 范围第8项所述之方法,其中上述之形成第二层复 晶矽的步骤,包含步骤: 定义上述之第二层复晶矽闸极之图案;及 蚀刻上述之第二层复晶矽以将该第二层复晶矽从 上述之第二区域移除。12.如申请专利范围第8项所 述之方法,其中上述之形成第二层接触的步骤,包 含步骤: 定义上述之第二层接触之图案;及 蚀刻上述之第二层接触,并留下上述之第二层接触 于上述之第二区域。13.如申请专利范围第8项所述 之方法,其中上述之形成第三层复晶矽的步骤,包 含步骤: 定义上述之第三层复晶矽之图案;及 蚀刻上述之第三层复晶矽,以将上述之第三层复晶 矽从上述之第二区域移除。14.如申请专利范围第2 项所述之方法,其中上述之第一层复晶矽层可以金 属层代替。15.如申请专利范围第2项所述之方法, 其中上述之第二层复晶矽层可以金属层代替。16. 如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之第 三层复晶矽层可以金属层代替。图式简单说明: 第一图A为一剖面图,显示一习知之侦测板在CMP制 程前的表面高度。 第一图B为一剖面图,显示一习知之晶片在CMP制程 前的表面高度。 第二图A为一剖面图,显示一习知之侦测板在CMP制 程后的表面高度。 第二图B为一剖面图,显示一习知之晶片在CMP制程 后的表面高度。 第三图A为一剖面图,显示本发明之侦测板在CMP制 程前的表面高度。 第三图B为一剖面图,显示本发明之晶片在CMP制程 前的表面高度。 第四图A为一剖面图,显示本发明之侦测板在CMP制 程后的表面高度。 第四图B为一剖面图,显示本发明之晶片在CMP制程 后的表面高度。 第五图A-第五图F为一系列的剖面图,显示本发明之 侦测板的制程步骤。 |
