| 主权项 |
1.一种晶圆研磨方法,系以第一旋转速度使被固定 于固定盘上的研磨垫旋转,且将研磨剂供给至上述 研磨垫之表面上,再藉由一面使晶圆以第二旋转速 度旋转而一面按压在上述研磨垫的表面上以研磨 上述晶圆的晶圆研磨方法,其特征为: 上述第一旋转速度和上述第二旋转速度之比,系调 整成与上述晶圆上的固定点相接触的研磨垫上之 点所描绘出的轨迹在研磨垫上均匀分布。2.如申 请专利范围第1项之晶圆研磨方法,其中上述第一 旋转速度和上述第二旋转速度之比,系调整成与上 述晶圆上之固定点相接触的研磨垫上之点实质上 在研磨中不会描绘出成为一定的轨迹。3.如申请 专利范围第1项之晶圆研磨方法,其中上述第一旋 转速度和上述第二旋转速度之比,系当以互质的自 然数m、n之比来表示两者之比时,调整成上述自然 数m、n之最小公倍数为10以上。4.如申请专利范围 第1项之晶圆研磨方法,其中上述第一旋转速度和 上述第二旋转速度之比大致调整成无理数。5.如 申请专利范围第1至4项中任一项之晶圆研磨方法, 其中上述研磨垫系由独立气泡型发泡聚胺酯树脂 所构成。6.如申请专利范围第1至4项中任一项之晶 圆研磨方法,其中上述研磨垫,具有周期性所形成 的沟或是孔穴。7.一种研磨垫之修整方法,系使被 安装在旋转之固定盘上的研磨垫以第一旋转速度 旋转,且藉由一面使修整器以第二旋转速度旋转而 一面按压在上述研磨垫之表面上以使上述研磨垫 之表面活性化的研磨垫之修整方法,其特征为: 上述第一旋转速度和上述第二旋转速度之比,系调 整成与上述修整器上的固定点相接触的研磨垫上 之点所描绘出的轨迹在研磨垫上均匀分布。8.如 申请专利范围第7项之研磨垫之修整方法,其中上 述第一旋转速度和上述第二旋转速度之比,系调整 成与上述晶圆上之固定点相接触的研磨垫上之点 实质上在研磨中不会描绘出成为一定的轨迹。9. 如申请专利范围第7项之研磨垫之修整方法,其中 上述第一旋转速度和上述第二旋转速度之比,系当 以互质的自然数m、n之比来表示两者之比时,调整 成上述自然数m、n之最小公倍数为10以上。10.如申 请专利范围第7项之研磨垫之修整方法,其中上述 第一旋转速度和上述第二旋转速度之比大致调整 成无理数。图式简单说明: 第一图为概略显示有关本发明第一实施形态CMP研 磨机之晶圆研磨状态的斜视图。 第二图为说明第一实施形态中研磨垫和晶圆之相 对运动用的高斯平面图。 第三图显示第一实施形态中研磨垫之每进行整数 次旋转时晶圆上之固定点位置和研磨垫之接触位 置的平面图。 第四图显示实验例1中研磨垫上之轨迹的平面图。 第五图显示实验例2中研磨垫上之轨迹的平面图。 第六图显示比较例1中研磨垫上之轨迹的平面图。 第七图显示比较例2中研磨垫上之轨迹的平面图。 第八图显示比较例3中研磨垫上之轨迹的平面图。 第九图显示在实验例2和比较例3之条件下进行CMP 之结果所获得的晶圆之平均的研磨速率及平均的 研磨速率之不均等的图。 第十图显示CMP之研磨中研磨垫之表面状态的截面 图。 第十一图为概略显示有关本发明第二实施形态之 研磨垫之修整方法的斜视图。 第十二图为说明第二实施形态中研磨垫和修整器 之相对运动用的高斯平面图。 第十三图显示第二实施形态中研磨垫之每进行整 数次旋转时修整器之固定点位置和研磨垫之接位 置的平面图。 |
