| 发明名称 | 制造氧化物膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种通过氧化衬底制造如MOS晶体管的栅氧化物膜的很薄氧化物膜的方法,该方法可以精确且容易地控制氧化物膜的厚度为所要求的值。该方法包括通过调节所说含氧气氛中氧的分压而不改变所说衬底的氧化温度和所说衬底的氧化时间,来控制要形成的氧化物膜的厚度。或者,该方法可包括通过只调节氧化气氛的压力而不改变所说衬底的氧化温度和所说衬底的氧化时间,来控制要形成的氧化物膜的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1236980A | 申请公布日期 | 1999.12.01 |
| 申请号 | CN99105880.1 | 申请日期 | 1999.04.22 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 安藤公一 |
| 分类号 | H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;余朦 |
| 主权项 | 1．一种制造氧化物膜的方法，在含氧的气氛中氧化衬底，以在所说衬底上形成所说氧化物膜，该方法包括：通过调节所说含氧气氛中的氧分压，控制要形成的所说氧化物膜的厚度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||