| 发明名称 |
Method of manufacturing ferroelectric memory device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB9923058(D0) |
申请公布日期 |
1999.12.01 |
| 申请号 |
GB19990023058 |
申请日期 |
1999.09.29 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/02;H01L21/768;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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