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<p>반도체장치의 제조기구 및 반도체장치의 제조방법에 있어서, 노심관 (furnace tube, 2) 의 일측으로만 가스를 공급하는 노심관 포트 가스 도입관 (furnace tube port gas introducing pipe, 9) 이 노심관 (2) 으로 공정가스를 공급하는 공정가스 도입관 (5) 으로부터 분리되어 설치되며, 이 노심관 (2) 내부로 웨이퍼 (4) 가 삽입되는 경우, 산소 분위기층 (11) 이 상기 노심관 포트 가스 도입관 (9) 로부터 공급된 질소가스에 의해 희석된 산소가스 또는 산소가스에 의해 노심관포트에서만 형성된다.</p> |
