发明名称 Process for dry etching and vacuum treatment reactor
摘要 건식 식각 공정은 특히 PECVD 반응기로부터 부착물을 제거하는데 특히 응용할 만하다. 반응성의 식각용 기체가 빈 반응기에 공급되고 식각 공정의 반응 생성물을 포함한 기체가 반응기로부터 꺼내진다. 본 발명의 첫 번째 측면에서, 반응되지 않고 방출되는 기체의 양을 감소시키기 위해 반응성 식각용 기체의 공급은 반응중 예정된 시간부터 감소된다. 출구에서의 반응 생성물의 유량은 반응속도의 함수로서 식각용 기체의 공급을 자동적으로 제어하기 위하여 모니터되게 된다. 본 발명의 두 번째 측면에서 SF가 식각용 기체로서 사용될 수 있는데, 이것은 실리콘계 부착물을 제거하는데 최소한 SF만큼 효율적이고, 낮은 안정성 때문에 외부환경에서 오염물질로서 머무르지 않는다.
申请公布号 KR19990083571(A) 申请公布日期 1999.11.25
申请号 KR19990015266 申请日期 1999.04.28
申请人 발저스 호흐바쿰 아크티엔게젤샤프트 发明人 터롯엠마뉴엘;슈미트자크;그로셋필립
分类号 H01L21/302;C23C16/44;C23F4/00;H01L21/00;H01L21/3065;H05H1/46 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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