| 摘要 |
본 발명은 반도체 기판(1) 상에, 게이트 절연막(2), 게이트 전극(3), 소스-드레인 영역(7) 및 게이트 전극의 측벽에 형성된 측벽 절연막을 포함하는 반도체 장치에 관한 것으로, 상기 측벽 절연막은 게이트 전극의 측벽 및 반도체 기판의 표면 둘다와 접촉하는 TEOS NSG막(5)과 상기 TEOS NSG막 상에 형성되는 실리콘 질화막(6)으로 된 이중층 구조를 갖는다. 상기 반도체 장치는 핫 캐리어 내성(hot carrier resistance)을 향상시키고 장기간에 거쳐 ON 전류가 거의 변화를 나타내지 않는 신뢰성이 높은 것을 특징으로 한다. |
