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<p>에피탁시얼 성장 또는 이온주입에 의해 형성된 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조방법이 제공된다. 상기 바이폴라 트랜지스터는, 에피탁시얼 실리콘 콜렉터층, 진성 베이스로 정의된 에미터 바로 하부의 베이스 영역 및 외부 베이스 영역으로 정의된 그 주변 영역을 갖는다. 상기 방법은, 개구를 형성하는데 이용된 포토레지스트를 이용하여, 이온을 상기 콜렉터층으로 주입하여, 매립 영역에 가까운 위치에 고농도 콜렉터 영역을 형성하는 단계를 구비한다. 상기 방법은, 베이스 영역을 형성한 후, 상기 콜렉터층으로 이온을 주입하여, 상기 베이스 영역 바로 아래에 고농도 콜렉터 영역을 형성하는 단계를 더 구비한다.</p> |
