| 发明名称 |
Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2337529(A) |
申请公布日期 |
1999.11.24 |
| 申请号 |
GB19990017373 |
申请日期 |
1998.01.14 |
| 申请人 |
* TOKYO ELECTRON LIMITED;* TOKYO ELECTRON ARIZONA INC |
发明人 |
MICHAEL S * AMEEN;JOSEPH T * HILLMAN |
| 分类号 |
C23C16/02;C23C16/14;C23C16/34;C23C16/56;H01L21/285;H01L21/768;(IPC1-7):C23C16/02 |
主分类号 |
C23C16/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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