金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺

摘要

一种金属－氧化物－半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺，包括对栅极氧化层区表面的清洗，用以获得良好的表面特性；生成栅极氧化层；覆盖光致抗蚀层；曝光与显影，用以形成栅极氧化层；离子注入，用以调整该金属－氧化物－半导体场效应晶体管的电参数；去除光致抗蚀层；清洗该栅极氧化层；去离子水旋转擦洗活化；以及高温退火等步骤；它可以大幅度提高栅极氧化层的电性能测试合格率。

主权项

1．一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层制造工艺，包括在预留为栅极氧化层区的表面进行栅极氧化层区预清洗，生长栅极氧化层，覆盖光致抗蚀层，曝光，进行形成栅极氧化层的显影，进行调整所述金属-氧化物-半导体场效应晶体管电参数的离子注入，去除光致抗蚀层及清洗栅极氧化层等加工步骤，其特征在于在清洗栅极氧化层后还进行去离子水旋转擦洗活化以及高温退火加工。