| 主权项 |
1.一种改良之交换式(Switching Mode)电源供应装置,包含有:一变压器,其具有一初级绕组(Primary winding),以及至少一次级绕组(Secon-dary Winding),该初级绕组具有一第一端及第二端;一直流电源供应电路,以其一输出端与该初级绕组之第一端连接;一交换(Switching)元件,其具有一第一端,一第二端,以及一控制端,该第一端与该初级绕组之第二端连接,该第二端接地,用以启闭流经该初级绕组之初级电流;一控制电路,以其一输出端与该交换元件之控制端,用以提供一驱动信号给该交换元件;一直流输出电路,以其一输入端与该次级绕组之输出端连接,用以于其一输出端输出一直流电压;一漏电流侦测电路,以其一输入端与该变压器之次级侧接地端连接,一输出端与该变压器之初级侧接地端连接,用以在发生漏电情形时,形成一电流回路,并发出漏电流信号;以及一漏电流保护电路,以相互隔离且受该侦侧电路漏电流信号控制之方式与该侦侧电路耦接,其一输出端与该控制电路之一工作信号输入端连接,当该侦侧电路发出漏电流信号时,该保护电路可将该控制电路之工作信号输入端接地,使其停止工作不再输出驱动该交换元件之信号。2.如申请专利范围第1项所述之交换式电源供应装置,其中该交换元件为一MOSFET,其泄极(Drain)为该第一端,其源极(Source)为该第二端,其闸极(Gate)为该控制端。3.如申请专利范围第1或2项所述之交换式电源供应装置,其中该漏电流侦测电路与该漏电流保护电路系以一光耦合器耦接在一起。4.如申请专利范围第3项所述之交换式电源供应装置,其中该漏电流侦测电路包含有串联之第一及第二电阻,以及一与该第二电阻并联之一光耦合器之发光件,当该电路有漏电流通过时,该发光件会受激发光。5.如申请专利范围第4项所述之交换式电源供应装置,其中该漏电流保护电路包含有一信号比较单元,其具有一第一信号输入端,一第二信号输入端,以及一信号输出端,该第一、第二输入端分别于串接一电阻后与一直流电源连接,一该光耦合器之受光件,以其输入端与该第二输入端连接,输出端接地,以及一电晶体开关单元,其控制端与该比较单元之输出端连接,其输入端与该控制电路之一工作信号输入端连接,其输出端接地。当该受光件未受光时,该比较单元之第一及第二输入端均为高位阶信号,其输出端则为低位阶信号,此时该电晶体开关处于关闭状态,该控制电路正常操作,当该受光件受光时,该比较单元之第二输入端变为低阶信号,其输出端因而变为高阶信号,此时该电晶体开关导通使该控制电路之工作信号输入端接地,用以停止输出驱动信号,此时,该交换元件不动作,该二次级绕组之输出即被关闭。6.如申请专利范围第5项所述之交换式电源供应装置,其中该光耦合器为一由发光二极体及光电晶体所构成之光耦合电晶体。7.如申请专利范围第5项所述之交换式电源供应装置,其中该信号比较单元为一NAND闸。图式简单说明:第一图为本创作一较佳实施例之电路布置图。 |
