| 摘要 |
<p>Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung beschrieben, bei welchen das Umschalten des Feldeffekttransistors unter Anlegen einer zum Umschalten geeigneten Steuerspannung an ein dem Gateanschluß vorgeschaltetes RC-Glied (R2, C2) erfolgt. Das Verfahren und die Vorrichtung zeichnen sich dadurch aus, daß das Umschalten des Feldeffekttransistors unter Verwendung einer Steuerspannung durchgeführt wird, welche zumindest vorübergehend nur geringfügig jenseits der Schwellenspannung liegt, die an den Gateanschluß des Feldeffekttransistors angelegt werden muß, um ein Umschalten desselben bewirken zu können.</p> |
