| 主权项 |
1.一种研磨半导体晶圆之研磨垫,其包含: 一个上方表面,其包含至少两个不同垫片材料之区 域;及 其中此等区域系在横越垫片之方向上以非辐射状 图样延伸。2.根据申请专利范围第1项之研磨垫,其 中当其旋转以研磨半导体晶圆时,实质上没有突然 转移越过部份垫片。3.一种研磨半导体晶圆之研 磨垫,其包含: 交替可压缩性之同心环。4.根据申请专利范围第3 项之研磨垫,其中交替可压缩性之同心环包含坚硬 环与柔软环。5.根据申请专利范围第3项之研磨垫, 其中坚硬环之宽度为3/4英寸,而柔软环之宽度范围 从1/8至1/4英寸。6.根据申请专利范围第3项之研磨 垫,其中交替可压缩性之同心环包含聚胺基甲酸酯 环,及聚胺基甲酸酯浸渍之聚酯毛毡环。7.一种研 磨半导体晶圆之研磨垫,其包含: 具有几何中心并在大致上环绕方向上延伸之交替 可压缩性之同心环;且 其中该几何中心系偏离研磨垫之中心。8.根据申 请专利范围第7项之研磨垫,其中几何中心系偏离 研磨垫之中心1.5至4英寸之范围内。9.一种研磨半 导体晶圆之方法,其包括: 提供一个具有平坦上方表面之研磨垫,该表面包含 至少两个不同垫片材料之区域,其中该两个区域系 在横越垫片之方向上以非辐射状图样延伸;及 研磨半导体晶圆,同时不断地保持浆液在晶圆下方 。10.一种研磨半导体晶圆之方法,其包括: 提供一个具有交替可压缩性同心环之研磨垫;及 研磨半导体晶圆。图式简单说明: 第一图揭示先前技艺之堆叠垫片型态; 第二图揭示本发明之顶部视图; 第三图揭示本发明之横截面图;及 第四图揭示本发明之替代具体实施例。 |
