发明名称 检测未完全腐蚀的通孔的方法
摘要 一种用于检测晶片叠层中的未完全腐蚀的通孔、间隔或未完全抛光的部分。晶片叠层包括设置在金属层上的绝缘层。绝缘层具有在其中腐蚀的多个通孔。晶片叠层,包括多个通孔,暴露于腐蚀剂中,其中腐蚀剂被构形为以基本上比绝缘层快的速率腐蚀金属层。结果,在适当腐蚀的通孔下面的金属层中形成腔。然后,用光学检测晶片叠层中的通孔,以检测和识别未完全腐蚀的通孔,其反射比在金属层中腐蚀的腔多的光。
申请公布号 CN1233072A 申请公布日期 1999.10.27
申请号 CN98127108.1 申请日期 1998.12.23
申请人 西门子公司 发明人 雷纳·F·施纳贝尔;贤·J·宁
分类号 H01L21/66;G01N21/84 主分类号 H01L21/66
代理机构 柳沈知识产权律师事务所 代理人 黄敏
主权项 1.一种检测晶片叠层中的未完全腐蚀的通孔的方法,其中晶片叠层包括排列在金属层上的绝缘层,所述绝缘层具有在其中腐蚀的多个通孔,所述方法包括;将包括所述多个通孔的所述晶片叠层暴露于腐蚀剂,所述腐蚀剂被构形得以基本上比所述绝缘层快的速率腐蚀所述金属层,从而在所述多个通孔的适当腐蚀的通孔下面的所述金属层中形成腔;和光学检测所述晶片叠层中的所述多个通孔,从而在所述多个通孔当中检测未完全腐蚀的通孔,其中未完全腐蚀的通孔比在所述金属层中腐蚀的所述腔反射的光多。
地址 联邦德国慕尼黑