| 摘要 |
반도체 메모리 장치는 워드 라인 및 디지트 라인에 접속된 메모리 셀을 구비한다. 메모리 셀은 제1 내지 제4 임계 전압에 대응하여 2비트 데이타를 기억하기 위한 것이다. 제1 임계 전압은 제2 임계 전압보다 낮고, 제2 임계 전압은 제3 임계 전압보다 낮으며, 제3 임계 전압은 제4 임계 전압보다 낮다. 반도체 메모리 장치는 제1 내지 제3 판독 전압을 워드 라인에 선택적으로 인가하는 인가부를 구비하고 있다. 제1 판독 전압은 제1과 제2 임계 전압의 사이값이다. 제2 판독 전압은 제2와 제3 임계 전압의 사이값이다. 제3 판독 전압은 제3과 제4 임계 전압의 사이값이다. 인가부는 제2 판독 전압을 첫번째로 워드 라인에 인가한다. 판독부는 디지트 라인에 접속되어 제1 내지 제3 판독 전압에 따라서 메모리 셀로부터 데이타를 판독한다. |
