| 摘要 |
<p>본 발명의 FET(전계 효과 트랜지스터)는 AlGaAs 게이트 접촉층을 포함하는 에피택셜 웨이퍼를 갖는다. Si로 도핑된 GaAs 게이트 매몰층, Si로 도핑된 AlGaAs 의 와이드-리세스 스토퍼층, 도핑되지 않은 GaAs 층 및 Si로 도핑된 GaAs 캡층은 에피택셜 성장에 의해서 게이트 접촉층 상에 순차적으로 형성된다. 전자 축적층은 도핑되지 않은 GaAs 층상에 형성되며 전위 장벽을 감소시킨다. 이로 인하여 전자들이 높은 확율로 AlGaAs 층의 전위 장벽을 통과할 수 있게 된다. GaAs 층이 불순물로 도핑되어 있지 않으므로, 전자들은 거의 산란하지 않고 높은 이동도를 달성한다. 따라서, 캡층으로부터 채널층까지의 접촉 저항을 감소시키는 것이 가능하다. 게다가, 시트 저항은 게이트 접촉층이 외부에 노출되지 않으므로 약간 증가한다. 따라서, 종래의 ON 저항보다 0.2 Ω·㎜ 만큼 낮은 1.4 Ω·㎜ 정도의 낮은 ON 저항이 얻어질 수 있다.</p> |
