发明名称 .Chemical vapor deposition system for massive synthesis of carbon nanotubes
摘要 <p>본 발명은 탄소나노튜브의 대량합성을 위한 화학기상증착장치에 관한 것으로써, 특히 열화학기상증착법을 이용하여 여러개의 대면적 기판위에서 탄소나노튜브를 대량으로 합성시키는 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 대량합성을 위한 화학기상증착장치는 탄소나노튜브를 합성시키는 반응로를 기존의 튜브형태와 달리 대면적인 직육면체형태로 제작하고 또한 대면적 기판을 수평으로 평행하게 여러장 놓을 수 있는 직육면체형태의 보트로 구성된다. 본 발명에 의한 화학기상증착장치를 이용한 탄소나노튜브의 합성은 대면적 기판위에 전이금속막을 증착시킨 후, 상기 전이금속막이 증착된 기판들을 보트에 장착시킨 후, 상기 보트를 반응로내로 넣은 후, 상압 또는 저압에서 열분해방식을 사용하여 상기 전이금속막의 표면을 암모니아가스로 식각시켜 상기 전이금속막의 표면에 미세한 그레인을 형성시킨 후, 상기 미세한 그레인위에 550 - 1100℃ 범위의 온도에서 아세틸렌가스 또는 탄화가스를 반응시켜, 상기 전이금속막위에 탄소나노튜브를 수직방향으로 정렬시켜 성장시킨다. 본 발명에 의한 화학기상증착장치는 기존의 전기방전장치, 레이저증착장치, 플라즈마 화학기상증착장치, 열화학기상증착장치에 비해서 대면적 기판위에서 탄소나노튜브를 대량으로 합성시키는 것이 가능하기 때문에 탄소나노튜브의 대량생산에 유리한 방법이다.</p>
申请公布号 KR19990073593(A) 申请公布日期 1999.10.05
申请号 KR19990030700 申请日期 1999.07.27
申请人 发明人
分类号 C01B31/02 主分类号 C01B31/02
代理机构 代理人
主权项
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