使用惰性气体遮蔽形成非均质性装置层的方法

摘要

形成一多重组成装置层于晶圆表面上的方法与设备系被揭示。多重组成非均质性装置层系以将包含有第一种组成的第一种化学物质与包含有第二种组成的第二种化学物质经由分离是传输系统流入反应室而形成。反应室包含有支撑与旋转晶圆用的转盘。分离式传输系统包括有与隔离第一与第二部分之第三部分交错的第一与第二部分。第一与第二种化学物质系首先个别地被传输至第第一与第二部份,而惰性气体则被传输至第三部份。

主权项

1.一种在装置制造中用以形成多组成非均质性装置层于晶圆表面上之方法,包括有第一与第二种组成物的装置层系形成于包括有能支撑至少一片晶圆的转盘以及与隔离第一与第二部分之第三部分交错的第一与第二部分的反应室中,该方法包括:提供至少一片晶圆于晶座上;旋转晶座;将含有第一种组成物的第一种化学物质传输至反应室的第一区;将含有第二种组成物的第二种化学物质传输至反应室的第二区;以及将惰性气体传输至反应室的第三区。图式简单说明:第一图系图示传统式CVD反应器;第二图系详细地图示传统式CVD反应器之反应室;第三图系图示传统式CVD之分离式化学物质传输系统;第四图系图示形成BPSG层用之传统式分离式化学物质传输系统;第五图a-h系图示传统式CVD反应器中TEOS与PH3浓度之弧度位置函数;第六图系图示根据本发明之具有分离式传输系统的反应室;第七图系图示使用根据本发明之一实施例之具有惰性气体遮蔽的分离式传输系统模型所模拟而产生的TEOS与PH3浓度;以及第八图系图示TEOS与PH3浓度与惰性气体遮蔽气流速率之关系。