| 主权项 |
1.一种矽化钨层,位于一半导体装置中,该矽化钨层 包含不同方向的矽化钨晶粒,其包含至少<101>方向 的第一矽化钨晶粒,及<001>方向的第二矽化钨晶粒, 其特征为: 该<001>方向的第二矽化钨晶粒占所有晶面方向之 最大体积比率。2.如申请专利范围第1项之矽化钨 层,该第二矽化钨晶粒的体积比率等于或大于50%。 3.如申请专利范围第1项之矽化钨层,其中该第一矽 化钨晶粒具有占所有晶面方向之最小体积比率。4 .如申请专利范围第3项之矽化钨层,其中该第一矽 化钨晶粒的体积比率等于或小于10%。5.如申请专 利范围第1项之矽化钨层,以X光绕射分析之,其中该 矽化钨具有一(101)晶面之第一强度峰値,代表该第 一矽化钨晶粒,及一(002)晶面之第二强度峰値,代表 该第二矽化钨晶粒,且该第一强度峰値等于该第二 强度峰値或小于其10%。6.一种半导体装置,形成于 一基板上,该半导体装置包含至少一复合式导电路 径,其包含一由矽所组成之下层,及一由矽化钨所 组成之上层,该矽化钨层包含不同方向的矽化钨晶 粒,其包含至少<101>方向的第一矽化钨晶粒,及<001> 方向的第二矽化钨晶粒,其特征为: 该<001>方向的第二矽化钨晶粒占所有晶面方向之 最大体积比率。7.如申请专利范围第6项之半导体 装置,其中该至少一复合式导电路径作为场效电晶 体的一闸极电极。8.如申请专利范围第6项之半导 体装置,其中该至少一复合式导电路径作为一讯号 传输路径。9.如申请专利范围第8项之半导体装置, 更包含另一复合式导电路径作为场效电晶体的一 闸极电极。10.如申请专利范围第6项之半导体装置 ,其中该第二矽化钨晶粒的体积比率等于或大于50% 。11.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中该 第一矽化钨晶粒具有占所有晶面方向之最小体积 比率。12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其 中该第一矽化钨晶粒的体积比率等于或小于10%。 13.如申请专利范围第6项之半导体装置,以X光绕射 分析矽化钨层,其中该矽化钨具有一(101)晶面之第 一强度峰値,代表该第一矽化钨晶粒,及一(002)晶面 之第二强度峰値,代表该第二矽化钨晶粒,且该第 一强度峰値等于或小于10%该第二强度峰値。14.一 种半导体装置的制程,包含以下步骤: 制备一基板结构,其具有至少一矽层; 沉积矽化钨于该矽层之上,用以产生一矽化钨层, 位于邻近该矽层边界之该部分矽化钨层表示为WSix ,其中成分比率x范围为2.0至2.2;及 进行该矽化钨层700℃至850℃热处理,俾能使该矽化 钨层成为包含复数个不同方向的矽化钨晶粒,且具 有至少<101>方向的第一矽化钨晶粒,及占所有晶面 方向最大体积比率之<001>方向的第二矽化钨晶粒 。15.如申请专利范围第14项之半导体装置的制程, 更包含将该矽化钨层露出于一氧化环境下的步骤 。16.如申请专利范围第14项之半导体装置的制程, 其中该矽层为多晶矽。图式简单说明: 图1为根据本发明之场效电晶体结构的剖视图。 图2为场效电晶体样品的剖视电子显微照片。 图3为根据本发明与习知矽化钨层的矽化钨X光绕 射分析结果的图示。 图4为习知场效电晶体样品的剖视电子显微照片。 图5为多晶矽层与习知矽化钨层之间所观察之剥离 现象的概略剖视图。 图6为根据本发明之导电路径结构的剖视图。 图7为根据本发明之多重配线结构的剖视图。 |
