| 主权项 |
1.一种具有闸极、源极与汲极之半导体电晶体的制造方法,包含以下步骤:提供欲形成有源极与汲极的半导体层;在半导体层上形成闸极绝缘层;在闸极绝缘层形成分离的闸极电极;及在最终电晶体的源极与汲极间之半导体层的掺杂部份中利用分离闸极电极作为遮罩。2.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中利用闸极电极作为遮罩的步骤包含在汲极的掺杂中利用闸极电极作为遮罩。3.根据申请专利范围第1项所述之方法,包含掺杂的使用以形成源极,且其中在掺杂中使用闸极电极作为遮罩所涉及的掺杂程度与形成源极所使用之掺杂比较相对较轻。4.根据申请专利范围第1至3项中任一项所述之方法,其中形成闸极绝缘层与形成分离闸极电极的步骤之间,该方法包含以下步骤:形成一个遮罩,及在将形成源极与汲极之半导体层的掺杂部份中使用遮罩。5.根据申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中形成分离闸极电极的步骤涉及多个分离闸极的形成。6.根据申请专利范围第5项所述之方法,其中在掺杂中使用闸极电极作为遮罩的步骤包含在源极与汲极的掺杂中及源极与汲极间之半导体层部份中使用闸极电极作为遮罩。7.一种半导体电晶体,包含具有活性层形成其上的基底,形成于活性层中的源极与汲极,形成于活性层上的闸极绝缘层与形成于绝缘层上的闸极电极,其中闸极电极是分离的,活性层在源极与汲极间具有一掺杂区域,且与闸极电极的分离段对齐,闸极电极与汲极对齐而不与其重叠。8.根据申请专利范围第7项所述之半导体电晶体,其中汲极包含两个区域,其一较另一个靠近源极,靠近源极的部份与另一个区域相较之下具有相对少量的掺杂。9.根据申请专利范围第7项所述之半导体电晶体,其中闸极为多个分离闸极,活性层在源极与汲极间具有多个掺杂区域,且与闸极电极的各分离段对齐。10.根据申请专利范围第7,8或9项任一项所述之半导体电晶体,其中在活性层中源极与汲极之间的掺杂区域相较于源极比较靠近汲极。图式简单说明:图1说明出传统多晶矽薄膜电晶体的输出特性ID-VDS,图2说明用于形成一个少量重叠掺杂汲极装置之闸极的处理步骤,图3根据本发明的一个实施例,说明用于形成分离闸极装置的处理步骤,及图4根据本发明的另一个实施例,说明用于形成一个分离闸极装置的处理步骤。 |
