| 摘要 |
<p>비교적 낮은 온도에서 반도체층의 표면 그레인 (Grain) 내로 도펀트 (Dopant) 를 적절하게 도입하는 것을 가능하게 해주는 반도체 장치 제조방법이 개시된다. 제 1 단계에서는, 제 1 절연체를 사이에 두고 반도체 기판 위쪽에 제 1 반도체층을 형성한다. 제 2 단계에서는, 제 1 반도체층을 열처리하여 제 1 반도체층의 표면상에 반도체 그레인을 형성하며, 이에 의해 제 1 반도체층의 표면을 울퉁불퉁하게 한다. 그레인은 제 1 반도체층과 동일한 물질로 되어 있다. 제 3 단계에서는, 반도체 그레인을 가진 제 1 반도체층을 가스상태의 도펀트를 함유한 분위기에서 약 700℃ 내지 780℃의 온도에서 소정의 시간동안 열처리하며, 이에 의해 도펀트를 분위기로부터 제 1 반도체층의 반도체 그레인내로 도입한다. 바람직하게는, 제 2 절연층을 형성하는 단계를 제 2 및 제 3 단계 사이에 추가하며, 이때 제 2 절연층은 어떤 도펀트로도 도핑되지 않는다. 도펀트는 제 3 단계에서 제 2 절연층을 통해 제 1 반도체층의 반도체 그레인내로 도입된다. 제 3 단계 후에 제 2 절연층을 제거하는 단계가 이루어진다.</p> |
