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发明名称 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要 <p>반도체기판의 제조방법은 절연층의 외주단이 반도체층의 외주단과 지지기체의 외주단 사이에 위치하도록 하기 위해 반도체기판의 외주부를 제거해서 반도체와 절연층의 일부에 발생하는 파편과 치핑현상을 효과적으로 방지할 수 있으므로 반도체층과 절연층은 계단형상을 형성한다.</p>
申请公布号 KR19990072429(A) 申请公布日期 1999.09.27
申请号 KR19990003829 申请日期 1999.02.04
申请人 null, null 发明人 아키노유타카;아토지타다시
分类号 H01L21/20;H01L21/762 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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